La course à l’infrastructure qui soutiendra la prochaine vague d’Intelligence Artificielle ne se limite plus aux GPU ou à la mémoire HBM. Elle commence également à se jouer dans le domaine du stockage, où Samsung et NVIDIA font un pas intéressant. Bien qu’il n’y ait pas eu d’annonce commerciale classique ni une volonté de NVIDIA de produire de la mémoire NAND, une collaboration de recherche concrète existe entre ces deux entreprises, avec Georgia Tech, pour accélérer le développement de mémoires NAND à matériaux ferroélectriques à l’aide de modèles d’IA et de calculs accélérés.
Ce nuance est essentielle car elle évite de tomber dans les titres sensationnels. Il est aujourd’hui fiable d’affirmer que Samsung travaille sur de nouvelles architectures de NAND à très faible consommation, et que des chercheurs de Samsung Semiconductor Research, NVIDIA et Georgia Tech ont présenté un modèle basé sur un Neural Operator informé par la physique, appelé PINO, capable d’accélérer radicalement l’analyse de ce type de dispositifs. La base scientifique est publiée, et le contexte industriel laisse penser à une collaboration plus large, mais aucune ligne de produit ni feuille de route commerciale concrète pour une « NAND de NVIDIA » n’a encore été dévoilée.
Ce que l’on sait réellement de cette collaboration
La pièce la plus solide de cette histoire réside dans la recherche scientifique. Le 6 mars dernier, le study « Physics-informed AI Accelerated Retention Analysis of Ferroelectric Vertical NAND: From Day-Scale TCAD to Second-Scale Surrogate Model » a été publié sur arXiv, signé par des chercheurs de Samsung, NVIDIA, Georgia Tech et d’autres institutions. Ce document explique comment un modèle PINO peut analyser le comportement d’une NAND verticale ferroélectrique avec une accélération de plus de 10 000 fois par rapport aux simulations TCAD traditionnelles, tout en conservant une cohérence physique dans ses résultats.
Il est important de préciser que ce chiffre de 10 000 n’indique pas que la mémoire sera 10 000 fois plus rapide en utilisation finale, comme dans un SSD ou un microprocesseur commercial. Il s’agit d’une accélération du processus de simulation et d’analyse lors de la recherche et développement. Au lieu de consacrer des heures à explorer différentes combinaisons de paramètres, matériaux et structures, l’équipe peut obtenir des prédictions en quelques secondes et tester beaucoup plus de variantes en un temps réduit. Dans une industrie où chaque avancée mémoire nécessite des années de modélisation, validation et production pilote, cela pourrait considérablement raccourcir les cycles de développement.
La seconde pièce notable provient de Samsung. En novembre 2025, Samsung Semiconductor a annoncé qu’un groupe du SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology) avait publié dans Nature un travail sur des transistors ferroélectriques pour une mémoire NAND à faible consommation. Selon cette étude, l’architecture proposée pourrait réduire jusqu’à 96 % la consommation lors d’opérations à niveau de string par rapport aux approches classiques, tout en conservant des capacités de stockage multicellulaire comparables à celles de la NAND actuelle. Ce chiffre de 96 % bénéficie d’une source technique et officielle, mais il faut le comprendre comme un résultat expérimental, non comme une promesse immédiate de produits commerciaux.
Pourquoi la NAND ferroélectrique séduit autant à l’ère de l’IA
La NAND classique reste essentielle pour les SSD, le stockage d’entreprise et les systèmes alimentant des charges d’IA, mais elle atteint désormais des limites physiques difficiles à dépasser. Avec l’augmentation du nombre de couches et de la densité, le contrôle électrique devient plus compliqué, la consommation augmente, et la marge pour continuer à progresser sans compromis se réduit. La mémoire ferroélectrique vise justement à répondre à ces défis, en remplaçant une partie de la logique basée sur la charge par des structures capables de maintenir des états électriques de manière plus efficace.
Dans ce contexte, NVIDIA intervient avec une logique industrielle. La société n’a pas besoin de devenir elle-même productrice de NAND pour être intéressée par cette technologie. Ses systèmes d’IA, ses partenaires cloud et tout l’écosystème d’accélérateurs ont un besoin croissant de stockage rapide, dense et efficace. La demande en mémoire et stockage explose dans les centres de données alimentés par l’IA. Participer à des outils qui accélèrent la conception de la mémoire NAND de nouvelle génération renforce aussi la position de NVIDIA dans la chaîne de valeur. Reuters a également signalé que Samsung et NVIDIA avaient renforcé leurs liens dans d’autres domaines, comme la HBM4 ou la création d’une usine de semi-conducteurs alimentée par plus de 50 000 GPU de NVIDIA.
Pour Samsung, la motivation est tout aussi claire. La société reste le plus grand fournisseur mondial de NAND Flash en termes de revenus, avec environ 32 % de parts de marché selon Counterpoint Research. Sur un marché qui profite à nouveau de la croissance de l’infrastructure IA et du stockage pour serveurs, maintenir cette position exige plus que d’accroître la production : il faut aussi anticiper la prochaine grande architecture NAND, face à des concurrents comme SK hynix/Solidigm, Kioxia ou Micron.
L’objectif des 1 000 couches reste une ambition, pas une promesse immédiate
Une des déclarations qui fait beaucoup de bruit concerne le possible passage à des mémoires NAND de 1 000 couches. Il convient de distinguer ce qui est confirmé de ce qui est spéculatif. Des médias coréens tels que Sedaily ou des analyses de TrendForce évoquent la NAND ferroélectrique comme une voie prometteuse vers cette étape, mais ni l’article publié dans Nature ni le préprint sur arXiv n’indiquent que Samsung ait déjà résolu cette étape ni qu’un calendrier industriel soit en place pour l’atteindre. Pour l’instant, il faut considérer cela comme une orientation technologique plausible, non comme une échéance concrète.
Cependant, la valeur de cette information ne disparaît pas à cause de cette nuance. Au contraire : ce qui est frappant, c’est que la IA ne se limite plus à générer du texte, du code ou des images, mais commence à influencer directement la conception de mémoire avancée. La collaboration entre Samsung et NVIDIA illustre une nouvelle étape, où l’IA devient un levier stratégique dans la recherche de composants pour les futurs centres de données.
En résumé, la compétition dans l’IA ne se limite plus à l’entraînement de modèles toujours plus grands. Il s’agit aussi de concevoir des mémoires, des circuits et des systèmes capables d’alimenter ces modèles avec moins de consommation, une plus grande densité et des cycles de développement raccourcis. Samsung apporte son expertise en mémoire ; NVIDIA, sa puissance de calcul et son savoir-faire en IA. Pour l’instant, il ne s’agit pas encore d’un produit prêt à commercialiser, mais d’un partenariat de R&D qui pourrait bien jouer un rôle clé dans l’avenir du stockage et de la mémoire pour l’IA.
Foire aux questions
Samsung et NVIDIA ont-ils annoncé une nouvelle mémoire NAND commerciale ?
Non. Seuls existent, d’après des sources publiques, une collaboration de recherche autour de la NAND ferroélectrique et un modèle d’IA pour accélérer son analyse. Aucun produit commercial développé conjointement n’a été officiellement présenté pour le moment.
Qu’est-ce que la NAND ferroélectrique ?
C’est une voie de recherche dans la mémoire flash utilisant des matériaux ferroélectriques pour améliorer l’efficacité et la scalabilité par rapport à la NAND conventionnelle. Samsung a publié dans Nature des résultats expérimentaux indiquant une consommation beaucoup plus faible lors d’opérations de type string.
Que signifie que l’IA accélère l’analyse de 10 000 fois ?
Cela ne veut pas dire que la mémoire finale sera 10 000 fois plus rapide, mais que le modèle PINO peut réduire drastiquement le temps d’analyse et de modélisation par rapport aux outils TCAD traditionnels, passant de jours à quelques secondes.
L’objectif des 1 000 couches dans la NAND est-il réaliste ?
C’est une orientation technologique évoquée par des médias asiatiques et des analystes comme TrendForce. Cependant, aucune étape officielle ou calendrier précis ne confirme que Samsung ait une telle mémoire en développement proche de la production. Pour l’instant, il s’agit plutôt d’une ambition future, pas d’une annonce concrète.
