La prochaine grande avancée en matière d’Intelligence Artificielle ne sera plus uniquement dictée par la puissance des GPU, mais par la mémoire qui les alimente. En particulier, la HBM (High Bandwidth Memory), ce composant qui est devenu un goulot d’étranglement industriel et un facteur différenciateur pour entraîner et faire des inférences sur des modèles de plus en plus volumineux. Dans cette compétition, Samsung aspire à retrouver une place de leader avec la HBM4, une génération prometteuse en termes de bande passante supérieure, et qui, selon des informations récentes, aurait déjà franchi des étapes clés de validation auprès de clients de premier ordre.

Des médias sud-coréens indiquent que Samsung aurait finalisé les phases de tests de qualité pour l’HBM4 avec NVIDIA et AMD, visant une mise en production à court terme et un positionnement stratégique pour ses modules dans l’écosystème de la prochaine plateforme IA de NVIDIA, connue sous le nom de Vera Rubin. Parallèlement, une première présentation publique pourrait intervenir lors du GTC 2026, le grand événement technologique de NVIDIA, où Rubin devrait jouer un rôle central.

Pourquoi HBM4 est plus crucial que jamais

La valeur de l’HBM4 repose sur une idée simple : dans les accélérateurs d’IA, la performance ne dépend pas uniquement de la capacité de calcul, mais surtout de la quantité de données pouvant entrer et sortir rapidement de la mémoire. La mémoire HBM est précisément conçue pour cela : offrir un bande passante extrême grâce à sa proximité physique avec le processeur et à une interface très large.

De plus, l’HBM4 intègre une évolution technique significative : avec une spécification industrielle prévoyant une interface de 2 048 bits, cette nouvelle génération permet de doubler le débit de données par rapport aux versions précédentes, sous réserve que la vitesse par pin et l’efficacité énergétique soient au rendez-vous. Cette combinaison — une interface plus large et des vitesses accrues — intensifie la compétition entre Samsung, SK hynix et Micron.

L’indicateur clé que l’industrie cherche à dépasser : respecter et surpasser les standards établis par NVIDIA

Un des enjeux majeurs de cette génération est la vitesse par pin, mesurée en gigabits par seconde (Gbps). Selon le standard JEDEC pour HBM4, la vitesse initiale envisagée tournait autour de 8 Gbps par pin. Cependant, NVIDIA — d’après diverses publications spécialisées — pousserait ses fournisseurs à atteindre des chiffres supérieurs, recherchant une dizaine de Gbps ou plus pour soutenir la performance attendue dans Rubin.

Dans ce contexte, des médias sud-coréens rapportent que Samsung aurait atteint une vitesse opérationnelle de 11,7 Gbps en HBM4, dépassant ainsi les exigences minimales de l’industrie pour cette génération. Ce chiffre n’est pas qu’une victoire technique : il suggère aussi que Samsung pourrait répondre à une demande massifiée, la mémoire devenant un « or » stratégique pour le marché des accélérateurs IA.

Calendrier : de la première production à la montée en puissance

Les sources sud-coréennes évoquent une séquence claire :

• Production à court terme après validation finale avec les clients.
• Intégration pour démonstrations lors du GTC 2026 (mars).
• Montée en volume principalement autour de juin, selon le calendrier de fabrication des puces finales et la cadence de production des intégrateurs.

Ce point est essentiel : en HBM, il ne suffit pas d’avoir un module rapide. Il faut aussi pouvoir produire en grands volumes, avec un rendement optimal sur la tranche de wafers et le processus d’empilement, tout en coordonnant toute la chaîne d’assemblage et de validation avec le client. La leçon récente de l’industrie est que le seul débit n’est pas suffisant si la livraison intervient trop tard.

L’importance du “die de base” : quand la mémoire dépend aussi de la logique

Un autre aspect crucial dans HBM4 est le logic base die (la couche logique située à la base de l’empilement). Pour cette génération, le die de base devient un maillon clé pour optimiser le transfert de données, l’efficacité et l’intégration globale. Selon certaines sources, Samsung pourrait utiliser un die de base fabriqué en 4 nm au sein de sa division de fonderie, ce qui lui offrirait une meilleure maîtrise des délais et des capacités, en comparaison avec des concurrents qui dépendraient davantage de fournisseurs tiers pour cette étape.

En résumé : la compétition autour de l’HBM4 ne se limite pas à la mémoire en elle-même. C’est aussi une bataille pour le packaging avancé, la performance industrielle et la gestion de capacité, dans un monde où les mêmes équipements et usines servent à répondre aux besoins de l’IA, de l’électronique grand public et de l’automobile.

Les concurrents en course : SK hynix et Micron également actifs

Les avancées attribuées à Samsung ne se produisent pas dans un vide. SK hynix a récemment publié des progrès significatifs avec l’HBM4, notamment en annonçant des vitesses dépassant les standards et en se préparant à la fabrication à grande échelle. Par ailleurs, Micron a aussi indiqué avoir envoyé des échantillons HBM4 dépassant les 11 Gbps par pin, avec des bande passante globale impressionnante, soulignant que la compétition sera très serrée dans cette génération.

Pour NVIDIA, cette rivalité est stratégique : la présence de plusieurs fournisseurs capables de fournir rapidement du volume réduit le risque de pénurie et permet d’ajuster la configuration en fonction du produit, du marché ou du coût. Pour Samsung, le défi est double : démontrer que ses performances techniques assurent une fourniture fiable et regagner du terrain après une période où ses concurrents semblaient en avance dans les phases initiales de l’HBM4.

Ce qui est en jeu réellement

À court terme, l’attention est concentrée sur Rubin, le GTC et des vitesses à deux chiffres en Gbps. Mais le contexte plus large tourne autour de la maîtrise de l’infrastructure matérielle de l’IA. La mémoire HBM influence la conception des accélérateurs, leurs marges, leur disponibilité et, en définitive, le rythme de déploiement des centres de données pour entraînement et inférence à grande échelle.

Si Samsung parvient à faire d’HBM4 un standard compétitif pour Rubin, elle ne remportera pas seulement un contrat : elle gagnera une position d’influence dans le cycle technologique décisif pour l’industrie des semi-conducteurs cette décennie.

Foire aux questions

Qu’est-ce que l’HBM4 et pourquoi est-elle si cruciale pour les GPU d’Intelligence Artificielle ?
L’HBM4 représente une nouvelle génération de mémoire à haut débit conçue pour alimenter des accélérateurs IA avec plus de données par seconde. Lors des phases d’entraînement et d’inférence, la bande passante mémoire est aussi cruciale que la puissance de calcul.

Que signifie « 11,7 Gbps par pin » en HBM4 ?
Il s’agit de la vitesse de transfert de chaque ligne d’interfaçage. Plus cette vitesse par pin (avec une interface large), plus le débit total disponible pour la GPU ou l’accélérateur est élevé.

Pourquoi parle-t-on de validation et d’« étapes de vérification » avec NVIDIA et AMD ?
Parce qu’il ne suffit pas de fabriquer la mémoire : elle doit également réussir des tests de compatibilité, de stabilité, de performance, tout en respectant les critères thermiques et de fiabilité en conditions réelles de centre de données.

Quand l’impact de l’HBM4 pourrait-il se faire sentir sur le marché des accélérateurs et des centres de données ?
Si la production et la distribution respectent le calendrier, 2026 sera probablement l’année où l’on commencera à voir l’HBM4 intégrée dans de nouvelles plateformes IA, affectant directement la disponibilité du matériel, les délais de livraison et la configuration des serveurs.

Sources : biz.sbs.co.kr et wccftech