China ha dado un paso decisivo en la carrera por la soberanía tecnológica en el ámbito de los semiconductores. Durante la Conferencia de Innovación y Desarrollo de Circuitos Integrados 2025, celebrada en Wuxi (provincia de Jiangsu), se anunció el lanzamiento del primer proyecto nacional capaz de producir resinas y fotoprotectores avanzados para litografía EUV. Este avance, centrado en la tecnología MOR (Resist de Óxido Metálico), posiciona a China como el primer país fuera de la órbita de ASML y sus aliados en dominar uno de los componentes más críticos del ecosistema de chips de 5 nanómetros y menores.
El contexto: litografía EUV, la frontera técnica
La litografía EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) es la tecnología mediante la cual se imprimen los patrones más finos sobre obleas de silicio, posibilitando la fabricación de chips con transistores de dimensiones de pocos nanómetros. Hasta ahora, esta tecnología ha sido dominada casi en exclusiva por la neerlandesa ASML, responsable de las máquinas de exposición más avanzadas, y por un pequeño grupo de proveedores japoneses y estadounidenses especializados en materiales.
Si bien se destaca principalmente la máquina en sí —las EUV Twinscan de ASML—, lo cierto es que los fotorresistentes son igual de fundamentales: sin ellos, no sería posible aprovechar la luz EUV de 13,5 nm para imprimir estructuras con precisión atómica.
El avance hacia MOR: superando los CAR tradicionales
Los fotorresistentes actuales para DUV (Ultraviolet Deep) se basan en compuestos CAR (Resist con Amplificación Química). Aunque eficaces, estos materiales presentan limitaciones para resolver las exigencias de resolución que implican los nodos de 5 nm, 3 nm o inferiores.
El desarrollo anunciado en Wuxi se centra en los MOR (Resist de Óxido Metálico), fotorresistentes a base de óxidos metálicos que ofrecen:
- Mayor resolución: permiten reducir la distancia entre componentes en los transistores.
- Menor tasa de defectos: disminuyen los errores durante la exposición.
- Mayor estabilidad: mejor resistencia a la luz EUV y a los procesos posteriores de grabado.
Con ello, China no solo busca autogestionar un material estratégico, sino también alcanzar niveles de innovación comparable a los referentes mundiales.
Dos proyectos estratégicos en Wuxi
Durante la conferencia, se presentaron dos líneas de innovación que marcan la hoja de ruta de China en materiales EUV:
- Línea piloto de fotorresistentes MOR EUV: el primer proyecto nacional que controla toda la cadena de materias primas, formulación y aplicación de fotorresistentes de óxidos metálicos.
- Línea piloto de resinas EUV con síntesis en flujo continuo: un proyecto único en China que utiliza un proceso de polimerización estable mediante equipamiento avanzado de síntesis.
Ambos proyectos, integrados en la estrategia de autosuficiencia tecnológica en semiconductores, buscan reducir la dependencia de importaciones y acelerar la capacidad de producción nacional en nodos de vanguardia.
Impacto en memorias y lógica avanzada
La relevancia de los nuevos fotorresistentes MOR trasciende los chips lógicos de 5 nm y 3 nm. Su aplicación también se proyecta en la industria de memorias:
- DRAM: ya empieza a adoptar EUV para reducir tamaño y mejorar rendimiento.
- NAND Flash: aunque aún no requiere EUV de forma masiva, será indispensable en futuras generaciones de alta densidad.
Este avance permitirá a los fabricantes chinos reducir la brecha tecnológica frente a líderes como Samsung, SK Hynix o TSMC.
El reto geopolítico
El anuncio se produce en un contexto de significativa presión internacional. Estados Unidos y sus aliados han impuesto restricciones a la exportación de equipos EUV avanzados a China, con la finalidad de limitar su progreso en semiconductores de última generación.
El desarrollo interno de materiales como los fotorresistentes MOR constituye un eslabón clave para reducir esa dependencia, aunque los mayores desafíos permanecen en las máquinas de exposición, donde ASML mantiene una ventaja de al menos diez años.
Aun así, expertos señalan que controlar materiales clave puede brindar a China una mayor autonomía, dado que la litografía no solo depende de la maquinaria, sino también de una cadena completa de procesos y consumibles especializados.
Mirando hacia el futuro
El camino no será sencillo. Dominar la producción industrial de fotorresistentes MOR EUV requiere:
- Garantizar estabilidad de procesos en grandes volúmenes.
- Alcanzar altas purezas en los compuestos químicos.
- Coordinar con toda la cadena de valor global para certificar compatibilidad en foundries.
No obstante, el proyecto en Wuxi marca un antes y un después: por primera vez, China se posiciona en la vanguardia de los materiales EUV de última generación, con una propuesta que aspira a competir con Japón y Estados Unidos.
Conclusión
La creación del primer centro chino dedicado al desarrollo de fotorresistentes MOR EUV es un hito en la búsqueda de soberanía tecnológica. Aunque China aún depende de importar equipos de litografía avanzada, su inversión en materiales críticos refleja una estrategia que puede redefinir su papel en la cadena global de semiconductores.
El futuro de la industria dependerá no solo de avances en maquinaria, sino también de la capacidad de cada nación para innovar en materiales químicos que permitan seguir reduciendo el tamaño de los transistores. En esa partida, China acaba de mover ficha.
Preguntas frecuentes (FAQ)
¿Qué es un fotorresistente MOR?
Es un tipo de fotoprotector usado en litografía EUV, basado en óxidos metálicos (Metal Oxide Resist). Permite lograr resoluciones superiores y reducir las tasas de defectos en nodos de 5 nm o menores, superando las limitaciones de los fotorresistentes CAR tradicionales.
¿Por qué es crucial que China produzca fotorresistentes EUV?
Porque estos materiales son esenciales en la fabricación de chips de última generación. Hasta ahora, China dependía de proveedores extranjeros, principalmente japoneses y estadounidenses.
¿En qué industrias se aplicará esta tecnología?
Además de los chips lógicos de 5 nm y 3 nm, se usará en memorias DRAM y en futuras generaciones de NAND Flash de alta densidad.
¿Cómo influye este avance en el escenario geopolítico?
Refuerza la estrategia de autosuficiencia tecnológica de China frente a las restricciones de exportación de EE. UU. y la UE. Aunque todavía está lejos de ASML en máquinas EUV, controlar materiales clave le da mayor autonomía.
vía: Mydrivers
