L’Espagne prend des mesures fermes pour se positionner comme leader mondial dans la production de puces en carbure de silicium, un matériau semi-conducteur clé pour l’électronique de haute puissance. Le projet DioSiC, soutenu par le PERTE de Microélectronique et semi-conducteurs, vise à développer les technologies nécessaires à la fabrication à grande échelle de plaquettes de carbure de silicium polycristallin.
Avec un budget de 3,3 millions d’euros, dont l’État assume 68%, le projet DioSiC ne représente pas seulement une avancée technologique significative pour l’Espagne, mais il est également fondamental pour l’indépendance de l’Europe face aux fournisseurs asiatiques, en particulier la Chine.
Le carbure de silicium, composé de silicium et de carbone, possède des propriétés uniques qui en font un matériau idéal pour l’électronique de haute puissance, comme celle utilisée dans les véhicules électriques et les énergies renouvelables. Sa grande résistance à la chaleur, sa capacité de conduction thermique et sa large bande interdite le rendent supérieur au silicium conventionnel dans ces applications.
Le projet DioSiC implique trois entreprises espagnoles leaders dans leurs domaines respectifs : Nanoker Advanced Ceramics, Hiperbaric et Fagor Électronique. Nanoker, spécialisée dans les produits céramiques nanocomposites avancés, est chargée de la fabrication des substrats en carbure de silicium polycristallin en utilisant des techniques innovantes telles que le SPS (Spark Plasma Sintering).
De son côté, Hiperbaric, qui contrôle 65 % du marché mondial des machines à haute pression, applique sa technologie HIP (Hot Isostatic Pressing) pour optimiser les propriétés mécaniques et électriques des plaquettes de carbure de silicium. Enfin, Fagor Électronique se chargera de la fabrication de circuits intégrés en utilisant ces substrats avancés.
L’objectif du projet DioSiC va au-delà de consolider l’indépendance de l’Espagne et de l’Europe dans la chaîne d’approvisionnement des semi-conducteurs. Il cherche également à réduire le coût de production des circuits intégrés de 30 % et à augmenter leur performance de 35 %, ce qui stimulerait la compétitivité de l’industrie européenne.
Mikel Pérez, directeur de la R&D chez Fagor Électronique, a souligné l’importance de ce projet comme le premier pas vers la création d’une usine de fabrication de carbures de silicium en Espagne, un objectif ambitieux mais réalisable grâce à la collaboration de ces trois entreprises de pointe.
Le projet DioSiC, dont la conclusion est attendue pour début 2026, représente une occasion unique pour l’Espagne et l’Europe de se positionner comme leaders dans la fabrication de semi-conducteurs de pointe, en réduisant leur dépendance extérieure et en encourageant l’innovation dans un domaine clé pour l’avenir de la technologie.
Référence : Hiperbaric, Xataka.
