
TSMC progresse vers des transistors sous-atomiques avec une nouvelle conception basée sur le MoS₂
TSMC et une équipe de chercheurs de l’Université nationale Yang Ming Chiao Tung (NYCU) à Taïwan ont mis au point une nouvelle technique pour fabriquer des transistors à base de disulfure de molybdène (MoS₂) monocouche. Ce matériau, parmi ceux étudiés par l’industrie pour continuer à réduire la taille des transistors alors que le silicium conventionnel approche de ses limites physiques, représente une avancée significative. Bien que cette découverte ne signifie pas que TSMC possède déjà un procédé commercial pour des nœuds inférieurs à 1 nanomètre, elle résout un des principaux obstacles pour l’utilisation des semi-conducteurs bidimensionnels dans les futurs chips. Les points clés des futurs transistors de TSMC en 20 secondes TSMC et NYCU ont fabriqué des transistors utilisant MoS₂




