
Samsung présente la zHBM et une NAND de plus de 400 couches pour la prochaine génération d’infrastructure IA
Samsung a profité du Future of Memory and Storage (FMS) 2026 pour présenter l’une des feuilles de route les plus ambitieuses du secteur de la mémoire. La société a dévoilé zHBM, un nouveau concept de mémoire haut débit conçu pour s’intégrer directement sur les accélérateurs d’intelligence artificielle, ainsi que V10 BV-NAND, la toute première architecture NAND du marché basée sur l’union de wafers avec plus de 400 couches, et zNAND-O, une nouvelle solution orientée vers les charges de travail IA en edge. Les clés de la nouvelle mémoire Samsung en 30 secondes Samsung présente zHBM, une architecture qui place la mémoire HBM directement sur l’accélérateur IA. La société affirme que cela pourrait offrir jusqu’à huit fois la performance de HBM5




