Depuis sa fondation en 1987, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) a maintenu une position de leader dans l’industrie mondiale des semi-conducteurs grâce à sa solide stratégie de recherche et développement interne. L’entreprise n’offre pas seulement les technologies les plus avancées dans les procédés de fonderie, mais elle a également réalisé des jalons significatifs à chaque étape de l’évolution des semi-conducteurs. Voici un aperçu des principales technologies logiques de TSMC, depuis les premières avancées jusqu’aux nœuds les plus modernes.
Innovations les plus récentes : A16 et 2nm
- Technologie A16™
TSMC a introduit sa technologie A16™, basée sur des nanosheets (feuilles nanométriques) et équipée de la solution innovante d’alimentation électrique par l’arrière appelée Super Power Rail (SPR). Cette approche améliore considérablement la densité logique, la performance et l’efficacité énergétique, jetant les bases pour les futurs développements dans les nœuds de haute technologie. - Nœud 2nm (N2)
Actuellement en développement avancé, la technologie de 2nm de TSMC représente la première génération de transistors nanosheet de l’entreprise. Ce nœud offre des améliorations significatives en termes de performance, de densité des transistors et d’efficacité énergétique, marquant une étape clé dans la miniaturisation des semi-conducteurs.
Technologies de Production Récents : 3nm et 5nm
- Nœud 3nm (N3)
En 2022, TSMC a mené l’industrie avec la production en masse de la technologie FinFET de 3nm. Ce nœud, considéré comme le plus avancé de l’industrie, est crucial pour les applications nécessitant une haute efficacité et une densité de transistors élevée, comme les appareils mobiles et les centres de données. - Nœud 5nm (N5)
Introduit en 2020, ce nœud a permis aux clients de TSMC de développer des produits innovants avec une performance élevée et une efficacité énergétique. N5 a marqué un jalon dans l’adoption massive des technologies avancées dans des secteurs clés.
Progrès Précédents : De 7nm à 0.13 micron
- Nœud 7nm (N7)
Lancé en 2018, le nœud FinFET de 7nm de TSMC a été l’un des développements les plus rapides et réussis de l’entreprise, posant les bases pour le déploiement des technologies avancées dans l’industrie automobile, les appareils mobiles et plus encore. - Nœud de 0.13 microns (µm)
En 2001, TSMC a révolutionné le marché avec le lancement du premier processus à faible constante diélectrique et cuivre (low-k copper) pour les systèmes sur puce (SoCUn SOC, abréviation de Security Operations Center (centre d’opérations de sécurité), est…). Ce développement a amélioré l’efficacité et réduit les pertes d’énergie.
Innovations Pionnières : Des 0.18 microns aux 3 microns
- Nœud de 0.18 microns (µm)
En 1998, TSMC a lancé le premier processus de faible puissance de 0.18 microns, établissant une norme en efficacité énergétique pour les applications industrielles. - Nœud de 3 microns
Depuis ses débuts, TSMC s’est engagé dans une stratégie de développement interne, en commençant par son nœud de 3 microns. Ce nœud a marqué le début d’une évolution constante vers la miniaturisation.
L’Engagement de TSMC envers l’Innovation
L’histoire technologique de TSMC reflète non seulement un progrès continu, mais aussi sa capacité à anticiper les demandes du marché mondial. Chaque nœud représente un pas en avant en terme de densité, de performance et d’efficacité énergétique, permettant des avancées significatives dans des domaines tels que l’intelligence artificielle, l’Internet des objets (IoT), l’informatique haute performance et plus.
Avec des technologies comme le nœud de 2nm et A16™ à l’horizon, TSMC continue de mener l’industrie, établissant de nouveaux standards dans la fabrication des semi-conducteurs et se consolidant comme un acteur clé dans le développement technologique mondial.
