La Chine réduit son retard sur la mémoire : déjà un an en NAND
La disparité technologique entre les fabricants chinois et sud-coréens de mémoire s’est rapidement réduite. La Korea Semiconductor Industry Association (KSIA) estime que la Chine accuse un retard d’environ un an en NAND, deux ans en DRAM et trois ans en mémoire HBM (High Bandwidth Memory). YMTC et CXMT jouent un rôle central dans cette évolution, même si mesurer la compétitivité par une simple différence d’années masque d’importantes différences en termes de performance de fabrication, de capacité, d’efficacité et de production à grande échelle. Les clés de l’avance chinoise dans la mémoire en 30 secondes La KSIA estime que l’écart entre la Chine et la Corée du Sud s’est réduit à un an en NAND, deux ans en DRAM et trois
