CXMT accélère sa carrière dans la DRAM avancée avec la technologie HKMG

CXMT atteint un plafond dans la DRAM : les restrictions sur les équipements freinent son expansion et le « yield » continue à impacter

Le fabricant chinois CXMT (ChangXin Memory Technologies) aurait réussi à intégrer la technologie High-k Metal Gate (HKMG) dans son processus G4 de DRAM et dans ses produits LPDDR5X, marquant une avancée significative pour réduire les fuites électriques qui apparaissent à mesure que les transistors sont miniaturisés. La société continue ainsi de rattraper son retard face […]