YMTC s’implante dans la DRAM pour fabriquer du HBM « en interne » et soulager la pénurie chinoise de mémoire pour l’IA
La Chine accélère sa stratégie d’autosuffisance technologique dans un contexte mondial de course à l’intelligence artificielle. Le fabricant de mémoire Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), connu pour sa production de NAND, a lancé une démarche déterminée : s’implanter dans le secteur de la DRAM avec l’objectif de produire de la HBM (High Bandwidth Memory) en […]
Samsung aumenta el costo de la memoria: un 30 % en DRAM y un 5–10 % en NAND debido a la escasez y el auge de la IA
Samsung a informé à ses principaux clients d’une augmentation des prix de la DRAM pouvant atteindre 30 % et de la NAND flash de 5 à 10 % pour les contrats du quatrième trimestre. Cette décision, avancée par le média coréen Newdaily, s’inscrit dans un réglage de l’offre provoqué par la réduction de la production […]
SK hynix installe le premier système commercial High NA EUV pour révolutionner la mémoire DRAM
SK hynix a annoncé le lancement du premier système de lithographie EUV à haute ouverture numérique (High NA EUV) destiné à la production de masse sur son site M16 à Icheon, en Corée du Sud. L’équipement, le modèle TWINSCAN EXE:5200B d’ASML, représente une avancée majeure dans l’industrie mondiale des semi-conducteurs, ouvrant la voie à des […]
SK hynix révolutionne la mémoire mobile avec une DRAM qui dissipe la chaleur 3,5 fois mieux pour les smartphones avec IA
SK hynix, l’un des géants mondiaux des semi-conducteurs, a annoncé le lancement de fournitures de mémoire DRAM pour appareils mobiles intégrant un système de dissipation thermique hautement efficace, rendu possible grâce à l’utilisation d’un nouveau matériau innovant nommé High-K Epoxy Molding Compound (EMC). La société devient ainsi le premier acteur du secteur à appliquer cette […]
La course vers la mémoire 3D : avancées dans la croissance épitaxiale pour la prochaine génération de DRAM
De nouvelles avancées européennes en matière de growth epitaxial pourraient transformer le futur de la mémoire DRAM. Des chercheurs d’Imec ont réussi à déposer jusqu’à 120 paires de multilayers de Si/SiGe sur des wafers de 300 mm, un exploit qui rapproche la technologie des mémoires tridimensionnelles (3D) plus denses, rapides et durables. Cette étape clé […]
SK hynix dépasse Samsung et devient le leader mondial du DRAM après plus de 30 ans
Pour la première fois depuis plus de trente ans, Samsung Electronics n’occupe plus la première place mondiale dans le secteur des mémoires DRAM. La place de leader revient à SK hynix, qui profite d’une demande explosive pour ses mémoires HBM (High Bandwidth Memory), notamment destinées à l’intelligence artificielle, ainsi que d’un partenariat exclusif avec Nvidia, […]
Samsung obtient le feu vert pour fabriquer sa DRAM de sixième génération et se prépare à mener l’ère du HBM4
Samsung accélère sa stratégie dans les mémoires à large bande passante (HBM) pour concurrencer directement SK Hynix dans la course pour approvisionner NVIDIA et AMD dans le domaine de l’intelligence artificielle et du calcul haute performance Samsung Electronics a franchi une nouvelle étape dans sa quête technologique. Selon des sources du secteur citées par le […]
Samsung et SK Hynix augmentent les prix de la DRAM et ouvrent la voie à des hausses chez les fabricants taïwanais.
Augmentation des Prix des Modules DDR4 : Nanya et Winbond en Position Favorable Les prix des puces DDR4 connaissent une hausse mondiale de plus de 10%, favorisée par les géants sud-coréens. Selon des sources du secteur, Samsung Electronics et SK Hynix, les deux plus grands fabricants de mémoire DRAM, ont commencé à appliquer d’importantes augmentations […]
DRAM+ révolutionne la mémoire : vitesse de DRAM avec persistance Flash pour des applications critiques
Annonce d’une alliance stratégique entre Ferroelectric Memory Company et Neumonda pour le lancement de DRAM+ La Ferroelectric Memory Company (FMC) et Neumonda ont annoncé une collaboration novatrice pour commercialiser DRAM+, une architecture de mémoire révolutionnaire qui fusionne la rapidité fulgurante de la DRAM traditionnelle avec la persistance de la mémoire Flash. Cette technologie promet de […]
Samsung s’ajoute à la hausse mondiale des prix des mémoires DRAM et NAND Flash
Samsung Augmente les Prix de ses Mémoire DRAM et NAND Flash de 3 à 5 % Le géant sud-coréen Samsung Electronics a annoncé qu’il augmentera les prix de ses mémoires DRAM et NAND Flash de 3 à 5 %, selon des sources de l’industrie sud-coréenne. Cette décision fait écho à l’augmentation des prix précédemment annoncée […]