SK hynix annonce le lancement de la production en série de la toute première mémoire NAND QLC de 321 couches, un exploit qui établit un nouveau record dans l’industrie des semi-conducteurs. Cette avancée promet d’accélérer la croissance des centres de données pour intelligence artificielle en améliorant l’efficacité énergétique et la capacité de stockage extrême.

Avec une capacité de 2 térabits par puce, cette mémoire double la capacité des solutions précédentes, ouvrant la voie à une nouvelle génération de SSD à très haute capacité, d’abord destinés aux PC, puis aux secteurs de l’entreprise (eSSD) et aux smartphones équipés de la technologie UFS.

La mémoire NAND se distingue par le nombre de bits qu’elle peut stocker dans chaque cellule : SLC (1 bit), MLC (2 bits), TLC (3 bits), QLC (4 bits), et en phase expérimentale, PLC (5 bits). La nouvelle mémoire de SK hynix, qui adopte la technologie QLC à 321 couches, combine une densité record avec des techniques pour atténuer ses inconvénients traditionnels.

L’un des principaux défis du QLC haute capacité réside dans la baisse de performance lors d’opérations simultanées. SK hynix a réussi à surmonter cet obstacle en augmentant le nombre de « plans » de 4 à 6, ce qui a permis de doubler la vitesse de transfert, d’accroître de 56 % la performance en écriture, de 18 % en lecture et d’améliorer de 23 % l’efficacité énergétique en écriture. Ces chiffres sont cruciaux pour l’équipement des serveurs d’IA, où la réduction de consommation énergétique peut se traduire en milliards de dollars d’économies annuelles.

La stratégie de SK hynix prévoit un déploiement progressif : d’abord dans les SSD pour PC, puis dans les SSD d’entreprise pour centres de données, et enfin dans les smartphones premium. À terme, l’objectif est d’entrer sur le marché des serveurs IA, en utilisant leur technologie 32DP (32 Die Package), capable de superposer jusqu’à 32 puces dans un seul boîtier pour augmenter la densité sans augmenter la taille du dispositif.

Le contexte mondial met en évidence que la mémoire devient un facteur limitant pour la progression de l’intelligence artificielle. Les modèles génératifs multimodaux entraînés avec des trillions de tokens génèrent des volumes massifs de données, accentuant la nécessité de solutions de stockage plus denses et plus économes en énergie. Selon IDC, les « lacs de données IA » représentent déjà plus de 25 % de la croissance annuelle du stockage d’entreprise, et le marché des SSD ultra-capacitaires pour IA pourrait atteindre 25 milliards de dollars d’ici 2027.

Le pari de SK hynix est de devenir un fournisseur complet de mémoire pour l’IA, combinant DRAM hautes performances, NAND de très haute capacité et emballages 3D avancés. Selon Jeong Woopyo, chef du développement NAND chez SK hynix, cette avancée positionne l’entreprise comme un acteur clé pour répondre à la demande explosive des centres de données, tout en mettant l’accent sur la durabilité énergétique, essentielle alors que la consommation électrique des centres IA pourrait atteindre 12 % de celle des États-Unis d’ici 2028.

Les experts estiment que la limite des couches pourrait dépasser 500 d’ici 2030, grâce à l’utilisation de la technologie PLC (5 bits par cellule) et de nouvelles méthodes de packaging 3D. Cependant, chaque augmentation de couches soulève des défis en matière de fiabilité, de latence et de coût de fabrication.

En résumé, avec cette mémoire NAND QLC de 321 couches et 2 téraoctets, SK hynix non seulement établit un nouveau record technique mais oriente également le futur du stockage dans l’ère de l’IA. Dans un marché où la mémoire devient aussi critique que la puissance de calcul, cette innovation pourrait permettre aux centres de données de poursuivre leur croissance tout en maîtrisant la consommation d’énergie et les coûts.

Pour plus d’informations, consultez la source officielle de SK hynix.