SK hynix a annoncé le lancement du premier système de lithographie EUV à haute ouverture numérique (High NA EUV) destiné à la production de masse sur son site M16 à Icheon, en Corée du Sud. L’équipement, le modèle TWINSCAN EXE:5200B d’ASML, représente une avancée majeure dans l’industrie mondiale des semi-conducteurs, ouvrant la voie à des motifs plus fins et des densités de transistors jamais atteintes, essentielles pour la prochaine génération de mémoires DRAM et d’applications d’intelligence artificielle.

Que signifie High NA EUV ?

La lithographie EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) utilise des longueurs d’onde ultraviolettes extrêmement courtes pour graver des motifs sur des wafers de silicium. La clé du nouveau système réside dans son ouverture numérique (NA). Alors que les équipements EUV actuels opèrent avec un NA de 0,33, le modèle EXE:5200B augmente cette valeur à 0,55, ce qui représente une amélioration de 40 % en précision optique.

Ce progrès se traduit par :

• Des transistors 1,7 fois plus petits qu’avec la lithographie EUV conventionnelle.
• Des densités 2,9 fois supérieures, permettant une production plus importante sur chaque wafer.
• Des améliorations significatives en efficacité énergétique et en performance des dispositifs.

Une étape décisive dans la course à la mémoire pour l’IA

SK hynix, deuxième fabricant mondial de mémoires, vise à consolider son leadership dans le secteur de la mémoire pour l’intelligence artificielle et la computation de nouvelle génération. Selon Cha Seon Yong, responsable R&D de la société :

« Nous espérons que cette infrastructure critique concrétisera la vision technologique que nous poursuivons. Nous souhaitons renforcer notre position de leader dans l’espace de la mémoire pour IA grâce à une technologie de pointe ».

Ce système permettra à SK hynix de simplifier les processus EUV existants, d’accélérer le développement des nouvelles générations de DRAM et d’améliorer la compétitivité en termes de coûts et de performances, dans un marché dominé par une forte demande provenant des centres de données, de la super_compute et des applications de machine learning.

Une collaboration stratégique avec ASML

Ce projet repose sur un partenariat avec ASML, le fabricant néerlandais d’équipements de lithographie et seul fournisseur mondial de la technologie EUV. Pour Kim Byeong-Chan, responsable de l’équipe clients SK hynix-Japon chez ASML :

« Le High NA EUV est une technologie essentielle qui ouvre le prochain chapitre de l’industrie des semi-conducteurs. Nous collaborerons étroitement avec SK hynix pour stimuler l’innovation dans la mémoire de nouvelle génération ».

L’installation du système dans l’usine M16 a été célébrée lors d’un événement auquel ont assisté des dirigeants de haut niveau des deux sociétés, soulignant l’importance stratégique de cette adoption.

Contexte : des 10 nm aux 2 nm et au-delà

Depuis 2021, SK hynix a progressivement intégré la lithographie EUV dans la fabrication de mémoires avancées, en commençant par le nœud 1anm (quatrième génération de 10 nm). L’introduction du High NA EUV répond à la nécessité pour l’industrie d’atteindre des densités extrêmes de transistors, en ligne avec les développements de concurrents comme Samsung, TSMC ou Rapidus au Japon, qui prévoient déjà des puces à 2 nanomètres d’ici 2027.

La stratégie de SK hynix vise à renforcer la stabilité et la crédibilité de la chaîne logistique mondiale, consolidant son rôle de partenaire stratégique pour la fourniture de mémoires à haute valeur ajoutée.

Impact attendu sur le marché

L’introduction commerciale du High NA EUV devrait entraîner :

• Une augmentation de la productivité : davantage de chips DRAM par wafer et réduction des coûts.
• Des produits à haute performance : mémoires plus rapides et plus efficaces pour l’IA, le big data et le cloud.
• Un avantage compétitif renforcé : une avance technologique face à d’autres fabricants dans un marché où les marges deviennent de plus en plus étroites.
• Une résilience accrue de la chaîne d’approvisionnement : diversification technologique pour assurer la stabilité dans un contexte de tensions géopolitiques.

Conclusion

Grâce à l’installation du premier système de haute NA EUV commercial, SK hynix ne se contente pas de prendre une longueur d’avance technologique, mais jette aussi les bases d’une nouvelle ère pour la mémoire DRAM, conçue pour répondre à la demande explosive de l’intelligence artificielle et de la computation de prochaine génération.

Questions fréquentes (FAQ)

Qu’est-ce que la lithographie High NA EUV ?
C’est une évolution de la lithographie EUV qui améliore la résolution en augmentant l’ouverture numérique (NA), permettant de graver des motifs plus fins sur les puces et d’accroître leur densité.

Quels avantages par rapport à la EUV conventionnelle ?
Elle permet de réaliser des transistors 1,7 fois plus petits et des densités 2,9 fois supérieures, ce qui se traduit par une puissance, une efficacité accrues et une consommation d’énergie réduite.

Pourquoi est-ce essentiel pour la mémoire DRAM ?
Parce qu’elle permet de faire évoluer les cellules de mémoire à des niveaux impossibles avec les technologies précédentes, assurant de meilleures performances pour des applications telles que l’IA, le big data et la supercalcul.

Quel rôle joue ASML dans cette avancée ?
ASML est le seul fabricant mondial d’équipements EUV et son modèle EXE:5200B est le premier capable d’offrir du High NA EUV en production de masse.

via : Note SK Hynix