Samsung Foundry repense l’avenir de la miniaturisation avec un objectif ambitieux à long terme : atteindre le 1 nanomètre d’ici 2031. Selon le journal économique sud-coréen Korea Economic Daily, la division de fonderie de Samsung souhaite finaliser la R&D de ce nœud en 2030 pour ensuite le mettre en production. Elle prévoit s’appuyer sur une architecture innovante appelée forksheet afin d’accroître la densité de transistors sur une même surface de puce. Il convient de préciser qu’à ce stade, il ne s’agit pas d’une annonce officielle de Samsung, mais d’une feuille de route publiée par la presse locale, fondée sur des sources de l’industrie.
Cette information s’inscrit dans une tendance plus large du secteur : face aux défis croissants du scaling traditionnel, les fabricants doivent repenser leurs architectures, au-delà de la simple réduction de taille des nœuds. Dans ce contexte, la stratégie de Samsung paraît crédible d’un point de vue technique. Le forksheet consisterait en la création d’une barrière diélectrique entre les dispositifs GAA (Gate-All-Around) pour rapprocher ces éléments et augmenter ainsi la quantité de transistors dans le même espace. En termes simples, il s’agirait d’une évolution du GAA actuel, visant à exploiter au maximum la densité lorsque la poursuite de la réduction physique devient limitée.
Ce qui est confirmé et ce qui reste une feuille de route non officielle
Il est important de distinguer faits confirmés et spéculations industrielles. Samsung a officiellement confirmé sa stratégie pour le 2 nm. En documents techniques et présentations antérieures, la société a détaillé la famille SF2, avec des variantes comme SF2P pour 2026 et SF2A pour l’automobile en 2027. Par ailleurs, en 2024, Samsung a annoncé des collaborations concrètes dans le domaine du 2 nm GAA, notamment un partenariat avec Preferred Networks pour la fabrication d’accélérateurs IA et le co-implémentation en 2.5D.
En revanche, rien n’a été officiellement confirmé concernant le saut vers le 1 nm en 2031 via la technologie forksheet. Samsung n’a pas encore publié de déclaration ou de note officielle validant ce calendrier précis. Par conséquent, cette information doit être considérée comme un plan industriel reporté et non comme une promesse ferme. La prudence s’impose, d’autant plus que l’histoire récente des nœuds avancés chez Samsung montre des ajustements de calendrier liés à la compétition avec TSMC, ainsi qu’à des incertitudes sur la performance et le rendement.
Pourquoi le forksheet est-il si stratégique ?
Le cœur du rumor réside dans l’architecture forksheet. Considérée comme une évolution des transistors nanosheet dans le paradigme GAA, cette approche vise à réduire encore davantage la distance entre les dispositifs par l’ajout d’une barrière diélectrique. Cela permet d’intégrer plus de structure utile dans la même surface, rendant la densité de transistors encore plus grande. Il ne s’agit pas d’une simple amélioration incrémentale : c’est une étape architecturelle nécessaire lorsque la loi de Moore commence à atteindre ses limites avec la lithographie, et que de nouvelles innovations sont indispensables pour continuer le progrès.
Samsung ne serait pas seul dans cette voie. Dans l’écosystème des semi-conducteurs, le forksheet est souvent évoqué comme une étape intermédiaire entre le GAA et des architectures encore plus avancées, comme le CFET. Même si la rumeur du Korea Economic Daily n’a pas encore été officiellement corroborée par Samsung, la cohérence avec l’état actuel de la recherche dans les technologies sub-2 nm est indéniable.
Le vrai défi pour Samsung : ce n’est pas le 1 nm, mais le 2 nm
Si l’ambition de Samsung sur le papier est impressionnante, le marché sait que l’épreuve la plus immédiate concerne son 2 nm GAA. Avant de se projeter vers le 1 nm, Samsung doit convaincre ses clients et les analystes que ses chips 2 nm sont compétitifs en termes de rendement, consommation, efficacité et capacité de fabrication.
C’est là le point crucial. La société cherche depuis plusieurs années à renforcer son activité de fonderie et à réduire l’écart avec TSMC. Cependant, elle reste loin derrière en parts de marché : selon TrendForce, TSMC a conservé sa domination en 2025, alors que Samsung occupe la deuxième place, mais avec une avance très limitée.
Autrement dit, évoquer le 1 nm sert aussi à projeter une image de puissance technologique et d’ambition, mais la priorité concrète reste la réussite de la feuille de route 2 nm. Mettre sur le marché des puces qui respectent les objectifs en matière d’efficacité, de yields et de calendrier est la véritable nécessité.
Une course commerciale autant que technique
Ce combat technologique s’inscrit dans une compétition commerciale. Samsung cherche à séduire les grands clients industriels et technologiques. Dans le secteur de la fonderie, la bataille ne se joue pas uniquement sur la finesse des nœuds, mais aussi sur les volumes, la fiabilité opérationnelle et la capacité à livrer en masse. La stratégie à long terme de Samsung repose donc aussi sur la confiance et la capacité à concrétiser ses promesses de production.
En annonçant ou en laissant entendre un plan pour du 1 nm, Samsung envoie un signal clair : elle reste dans la course, prête à innover et à rivaliser avec TSMC. Toutefois, la crédibilité dans le secteur des semi-conducteurs se construit surtout avec les résultats concrets en fabrication, dans les trois ou quatre prochaines années, plutôt qu’avec des promesses pour 2031.
Que peut-on attendre à court terme ?
Il faut s’attendre à voir apparaître d’autres annonces officielles provenant de Samsung Foundry ou de futures mises à jour de leur feuille de route. Si le projet de 1 nm forksheet est sérieux et pas seulement exploratoire, il devrait tôt ou tard se manifester dans des présentations techniques, des documents pour clients ou des conférences dans les années à venir.
En attendant, cette déclaration doit être considérée comme une ambition forte, mais non encore une réalité industrielle validée. Samsung souhaite rester dans la course au 1 nm, c’est sûr. Mais la priorité immédiate reste la consolidation de sa position sur le 2 nm : faire en sorte que cette technologie ne soit pas qu’une promesse, mais une alternative crédible face à TSMC, et qu’elle puisse répondre aux attentes du marché dans un délai raisonnable.
Questions fréquentes
Samsung a-t-elle annoncé officiellement son processus de 1 nm pour 2031 ?
Pas encore officiellement. La source principale reste le Korea Economic Daily, qui parle d’un plan interne ou d’une feuille de route relayée par des sources industrielles.
Qu’est-ce que la technologie forksheet ?
Il s’agit d’une évolution de l’architecture GAA/nanosheet qui consiste à ajouter une barrière diélectrique pour réduire la séparation entre transistors, permettant ainsi d’intégrer davantage de transistors dans la même surface.
Quelles sont les avancées confirmées de Samsung sur les nœuds avancés ?
Samsung a officiellement annoncé sa famille SF2 en 2 nm, avec des variantes comme SF2P, et a passé des accords pour fabriquer des puces IA en 2 nm GAA.
Quel est le principal défi actuel pour Samsung ?
Au-delà du 1 nm, le défi immédiat consiste à rendre ses 2 nm compétitifs en performance, efficacité et capacité de production face à TSMC.
