Samsung Electronics intensifie ses efforts pour ne pas rester à la traîne dans le domaine du composant le plus rare — et le plus rentable — du boom de l’intelligence artificielle : la mémoire à haut débit (HBM). Fin février, à la veille du Mobile World Congress (MWC) 2026, l’entreprise a accéléré le calendrier de construction de ses salles blanches (cleanrooms) pour sa future Fab 5 (P5) dans le gigantesque complexe de Pyeongtaek (Corée du Sud). Cette installation est destinée à devenir un hub de production de HBM afin de répondre à la demande croissante des accélérateurs d’IA et des centres de données.
Ce mouvement, relayé par la revue spécialisée Cleanroom Technology, ne se limite pas à une simple mise à jour des travaux. Dans la fabrication de semi-conducteurs, le cleanroom représente le point de non-retour : sans salle blanche achevée, il est impossible d’installer l’équipement. Et sans outils, il n’y a pas de wafers. Ainsi, accélérer la construction du cleanroom revient à préparer le terrain pour pouvoir passer à la vitesse supérieure dès que le marché le permettra.
Le « Shell First » : construire d’abord l’extérieur, décider ensuite du contenu
Samsung intègre cette accélération dans une stratégie qu’elle qualifie de « Shell First ». La démarche est simple et pragmatique : terminer en priorité l’infrastructure (salle blanche, tuyauteries, services essentiels) sans encore investir complètement dans l’équipement, de façon à pouvoir réagir rapidement si la demande explose ou si un client exige un volume dans un délai serré.
Selon Cleanroom Technology, Samsung a déjà anticipé plusieurs étapes majeures :
- La construction complète des salles blanches, initialement prévue pour début 2027, est désormais envisagée plus tôt.
- Les travaux préparatoires ont été reprogrammés pour le second trimestre. La mise en service du cleanroom débuterait alors dès début du troisième trimestre.
- Des travaux préliminaires pour les « inserts » (éléments structuraux intégrés avant d’installer certains équipements) sont prévus pour le quatrième trimestre.
- L’installation des tuyaux, cruciale pour le déploiement de l’équipement semi-conducteur, est avancée vers fin 2026.
Dans un secteur où la montée en cadence de la fabrication se mesure en trimestres, et où les grands clients planifient sur plusieurs années, gagner plusieurs mois dans la phase de construction civile peut faire la différence entre « respecter le calendrier » ou rater un cycle entier.
P5, plus grande que ses prédécesseures et conçue pour la HBM
Pyeongtaek constitue le cœur du campus de Samsung dédié aux semi-conducteurs, et P5 sera plus imposante que les usines précédentes du complexe. Selon Cleanroom Technology, P5 comprendra six salles blanches réparties sur trois niveaux, contre quatre salles sur deux niveaux pour les usines précédentes du même site. Samsung présente P5 comme un futur centre névralgique pour la HBM, une priorité à mesure que le marché pousse les fabricants de mémoire à produire des composants à haute marge pour l’IA.
Le coût est également impressionnant : l’investissement total dans ce campus est estimé à plusieurs dizaines de milliards de dollars, et le coût d’une fab comme P5 pourrait osciller entre 23 et 46 milliards de dollars, selon la même publication. Cette fourchette illustre la réalité industrielle : bâtir une capacité « tampon » est coûteux, mais rester sans capacité peut coûter encore plus cher si l’on rate la vague des contrats liés à l’IA.
Une tendance du marché : Samsung reprend la tête dans la DRAM grâce à la poussée de la HBM
Au centre de cette accélération se trouve une raison évidente : la demande en mémoire pour l’IA ne faiblit pas. De plus, Samsung bénéficie à nouveau d’un vent favorable dans la compétition. Selon le rapport de TrendForce sur le quatrième trimestre 2025, Samsung a repris la première place en revenus de DRAM, avec 19,3 milliards de dollars (soit une augmentation de 43 % par rapport au trimestre précédent) et 36 % de parts de marché, notamment grâce à la croissance de ses activités en HBM. Durant cette période, SK hynix a atteint 17,2 milliards de dollars et 32,1 % de parts, tandis que Micron a enregistré 12 milliards de dollars et 22,4 %.
Ce partage reflète que la HBM est devenue l’un des leviers principaux pour générer des revenus liés à la mémoire. Lorsqu’ils achètent à grande échelle pour l’IA, les clients privilégient le volume, la performance et la capacité de livraison.
Alors que la Corée accélère, le Texas ajuste ses attentes : le déploiement de Taylor s’étire jusque 2027
Dans le même temps, la stratégie de Samsung en tant que fonderie (foundry) se concentre particulièrement sur les États-Unis. Cependant, les dernières infos indiquent que le projet majeur à Taylor (Texas) progresse, mais selon un calendrier moins linéaire que prévu.
Le Korea JoongAng Daily a récemment rapporté que la production à grande échelle à Taylor pourrait être décalée à début 2027, citant des sources du secteur. TrendForce, sensible à cette information, indique également que des questions subsistent quant au rythme réel de mise en production du complexe. Par ailleurs, un tournant intéressant est évoqué : certaines installations initialement destinées à la fabrication en Corée seraient désormais priorisées pour l’expansion de la mémoire, face à la forte demande dans l’IA.
Globalement, le message est clair : Samsung renforce ses positions là où la demande est la plus immédiate (mémoire pour IA), tandis que la mise en service de sa fonderie au Texas suit un processus plus long, sensible aux commandes, aux autorisations, à l’équipement et à l’économie du projet.
Une course qui se joue dans les salles blanches, pas dans les présentations
De l’extérieur, l’industrie des puces se mesure souvent en nœuds (2 nm, 3 nm) et en grandes marques (GPU, IA, centres de données). Mais dans le terrain industriel, beaucoup de changements commencent par quelque chose de plus prosaïque : le calendrier de construction des cleanrooms et leur capacité à installer les machines à temps.
Samsung accélère le Pyeongtaek P5 car elle sait que la mémoire HBM constitue une voie directe vers les racks d’IA. En même temps, elle continue de miser sur ses opérations internationales — notamment la fonderie au Texas — même si le marché montre que la performance opérationnelle et la demande concrète déterminent le rythme, plutôt que les objectifs initiaux.
Tableau récapitulatif : Pyeongtaek P5 vs. Taylor (Texas)
| Projet | Objectif principal | Statut / calendrier récent | Avantage stratégique |
|---|---|---|---|
| Pyeongtaek P5 (Corée) | Centre de production de HBM pour l’IA | Avancée des travaux : préparatifs au 2T, début du cleanroom début du 3T, « inserts » en 4T, tuyauterie fin 2026 | « Shell First » : préparer l’infrastructure pour déployer rapidement lors de la demande |
| Taylor (Texas, USA) | Extension avancée de la fonderie | Les sources évoquent une mise en production significative début 2027 | Adapter les attentes et aligner l’investissement au rythme réel du marché |
Foire aux questions
Qu’est-ce qu’une salle blanche et pourquoi est-elle si cruciale dans une usine ?
C’est un environnement contrôlé (particules, température, humidité, pression) indispensable à la fabrication des puces. Sans cleanroom achevé, il est impossible d’installer l’équipement. Elle constitue une étape clé dans le calendrier de production.
Que signifie la stratégie « Shell First » de Samsung ?
Il s’agit de construire d’abord l’infrastructure (le « cascaron » : salles blanches et services) avant d’investir principalement dans l’équipement, afin de pouvoir réagir rapidement si la demande évolue.
Pourquoi la HBM est-elle si importante pour l’Intelligence Artificielle ?
Parce que les accélérateurs IA nécessitent un débit mémoire extrême pour alimenter le calcul. Cette demande a explosé, faisant de la HBM un produit stratégique pour les centres de données.
Que signifie le décalage de la mise en service de Taylor à 2027 ?
Cela indique que la capacité de production avancée aux États-Unis prendra plus de temps pour atteindre un volume significatif. Pour Samsung, cela confirme la stratégie d’accélérer là où elle obtient un retour immédiat : la mémoire et la HBM.
source : cleanroom technology
