La Russie a annoncé officiellement la production de son premier scanner lithographique national, capable de fabriquer des puces à 350 nanomètres (nm). Bien que ce progrès semble modeste par rapport aux nœuds de pointe actuels, il représente une avancée significative dans la quête de l’indépendance technologique du pays dans un secteur clé comme celui des semi-conducteurs.

Le maire de Moscou, Sergei Sobyanin, a fait cette annonce en soulignant non seulement l’importance industrielle de cette réalisation, mais également sa dimension géopolitique. « Il y a moins de dix pays dans le monde capables de fabriquer ce type d’équipement semi-conducteur clé, et la Russie en fait partie », a-t-il déclaré, tout en présentant la première image de l’appareil.

Un design robuste et fonctionnel

Ce scanner lithographique de 350 nm a été entièrement conçu et assemblé sur le territoire russe. Contrairement à de nombreuses machines étrangères qui utilisent encore des lampes à mercure comme source de lumière, ce modèle opte pour des lasers à état solide, promettant une plus grande efficacité, une précision spectrale accrue, une durabilité améliorée et un impact environnemental réduit.

La machine peut traiter des plaques de silicium d’un diamètre allant jusqu’à 200 mm et couvrir une zone d’exposition de 22 x 22 mm, un format qui répond aux exigences de multiples applications industrielles, en particulier dans des secteurs où des processus avancés (comme 7 nm ou moins) ne sont pas strictement nécessaires, tels que l’automobile, l’énergie ou les télécommunications.

Des ambitions pour l’avenir : 2026 en ligne de mire

Ce développement n’est pas un projet isolé. Selon le calendrier publié par les autorités russes en 2023, d’ici 2026, une machine nationale capable de fonctionner à un nœud de 130 nm est prévue, avec l’objectif d’atteindre les 65 nm, une technologie que la Russie maîtrise déjà, mais qui reste dépendante de scanners importés.

Avec des usines de développement actives à Moscou, Zelenograd, Saint-Pétersbourg et Novossibirsk, le pays vise à réaliser une « nationalisation » totale de ses processus de fabrication de puces. Le respect rigoureux du calendrier pour le développement de la machine de 350 nm est un signe que le projet est pris au sérieux, ce qui est rare dans ce type d’initiatives technologiques complexes.

Une éventuelle collaboration avec la Chine ?

Un aspect qui suscite de l’intérêt est la possibilité d’une collaboration avec la Chine, qui développe également sa propre technologie lithographique avec des sources laser à état solide pour la lithographie DUV (ultraviolet profond), aspirant même à atteindre les 3 nm. Bien qu’il n’y ait pas de confirmation officielle, la similitude technologique suggère un possible partage de design ou une coopération stratégique entre les deux pays, qui partagent l’ambition de réduire leur dépendance vis-à-vis des technologies occidentales.

Une course vers l’autosuffisance technologique

La lithographie est l’un des piliers les plus complexes de la chaîne de fabrication des semi-conducteurs, traditionnellement dominée par des acteurs comme ASML en Europe ou Canon et Nikon en Asie. Dans ce contexte, l’initiative de la Russie—bien qu’en retard en matière de miniaturisation—renforce sa position dans la course mondiale à la souveraineté technologique, dans un monde de plus en plus divisé en blocs géopolitiques.

Pour l’instant, les 350 nm peuvent sembler être un train lent par rapport aux nœuds de 3 nm ou 5 nm qui dominent l’industrie, mais pour la Russie, c’est le bon wagon vers son indépendance industrielle. Et la prochaine destination, 130 nm, est déjà à l’horizon.

Source : Mydrivers