L’Université de Fudan établit un nouveau record avec une mémoire non volatiled’une rapidité ultralocalisée, idéale pour les applications en intelligence artificielle

Des chercheurs de l’Université de Fudan, à Shanghai, ont annoncé le développement de la mémoire Flash la plus rapide au monde, marquant un jalon sans précédent dans l’histoire de l’informatique. Baptisée PoX (Phase-change Oxide), ce nouveau type de mémoire non volatile est capable d’exécuter des opérations d’écriture en seulement 400 picosecondes, soit 0,0000000004 secondes. Pour donner une idée de sa rapidité, cela représente environ 300 milliards de fois plus rapide que le clignement d’œil humain, qui dure environ 300 millisecondes.

Cette avancée représente un bond en avant par rapport aux mémoires traditionnelles. Les SRAM et DRAM, largement utilisées aujourd’hui, écrivent des données en des temps allant de 1 à 10 nanosecondes, mais leur nature volatile signifie qu’elles perdent toutes les informations lorsqu’elles sont éteintes. En revanche, les mémoires NAND Flash, présentes dans les SSD et les clés USB, conservent les données sans alimentation, bien que leurs vitesses se situent entre microsecondes et millisecondes, rendant cette technologie inadéquate pour les tâches exigeantes en temps réel requises par l’intelligence artificielle (IA).

PoX : Un saut technologique vers une nouvelle ère informatique

Le chip PoX développé à Fudan combine deux avantages clés : non-volatilité et vitesse de commutation ultrarapide, dépassant largement l’ancien record d’écriture de 2 millions d’opérations par seconde. Ses performances en font un candidat idéal pour éliminer le goulet d’étranglement qui limite actuellement les systèmes d’IA, où la majorité de la consommation d’énergie est consacrée au transfert de données plutôt qu’au traitement.

Un des éléments clés de cette avancée a été l’abandon du silicium traditionnel comme matériau de base. L’équipe dirigée par le professeur Zhou Peng a opté pour le graphène bidimensionnel de type Dirac, réputé pour sa capacité à permettre un flux de charge rapide et sans restrictions.

De plus, les chercheurs ont optimisé l’architecture interne en ajustant la longueur gaussienne du canal de mémoire, permettant un phénomène appelé superinjection 2D, où les électrons se déplacent de manière presque illimitée vers la couche de stockage. Cela élimine pratiquement toute restriction de vitesse inhérente aux mémoires conventionnelles.

Un produit exclusif pour l’IA ?

Bien que les détails de sa commercialisation n’aient pas encore été révélés, il semble que cette technologie sera principalement destinée au domaine de l’intelligence artificielle. Grâce à sa faible consommation d’énergie et à sa vitesse d’écriture extraordinaire, PoX pourrait être intégré dans de futurs systèmes d’IA, accélérant tant l’entraînement que l’inférence de modèles complexes.

“L’augmentation de la vitesse constitue une avancée majeure qui surmonte complètement un goulet d’étranglement théorique des cadres technologiques de stockage actuels”, a expliqué Liu Chunsen, chercheur au Laboratoire d’État des puces et systèmes intégrés de l’Université de Fudan.

“En utilisant des algorithmes d’IA pour optimiser les conditions de test du processus, nous avons considérablement progressé dans cette innovation et ouvert la voie à ses futures applications”, a-t-il ajouté.

En résumé

Ce développement positionne la Chine à l’avant-garde de la technologie des mémoires, un secteur stratégique pour l’autonomie technologique et le progrès de l’intelligence artificielle. Bien qu’il reste encore du temps avant que cette technologie atteigne des dispositifs commerciaux, son potentiel pour transformer la performance des systèmes de haut niveau est indiscutable.

La mémoire PoX pourrait être le catalyseur qui redéfinit les limites de l’informatique moderne.

Source : Bastille Post