La société américaine accélère sa feuille de route avec de nouvelles technologies comme RibbonFET 2 et PowerDirect, devançant ainsi la concurrence en matière de performance, d’efficacité et de densité.

Lors de l’événement Direct Connect 2025, Intel a clairement affirmé sa volonté de reprendre son leadership dans l’industrie des semi-conducteurs. Avec une feuille de route ambitieuse, des technologies de pointe et des alliances stratégiques, Intel Foundry Services (IFS) se positionne comme une menace directe pour TSMC, le géant taïwanais de la fabrication de puces.

Le grand protagoniste de l’événement a été le nœud Intel 14A, une évolution critique qui intègre pour la première fois la lithographie EUV High-NA, marquant un tournant dans la course technologique du silicium. Selon les données révélées, Intel 14A et sa version étendue 14A-E promettent des améliorations spectaculaires qui pourraient placer Intel en tête de ses rivaux dès 2027.

Un nouveau bond en efficacité et densité : Intel 14A et 14A-E

Basé sur des transistors RibbonFET de deuxième génération (GAA Gen 2) et avec le nouveau système de distribution électrique PowerVia 2.0, désormais dénommé PowerDirect, le nœud Intel 14A vise haut :

• Réduction de la consommation de 25 % à 35 % pour une performance équivalente.
• Augmentation de la performance de 15 % à 20 % pour une consommation équivalente.
• Augmentation de la densité de +30 % par rapport à Intel 18A.

Ces chiffres, fournis par le cadre Naga Chandrasekaran, positionnent Intel comme pionnier dans l’utilisation de EUV High-NA, une technologie que TSMC ne prévoit pas d’utiliser dans ses nœuds A14 ou A14P à court terme. Cela pourrait créer un fossé technologique considérable à partir de 2027, lorsque Intel prévoit de lancer des produits finaux avec ce nœud.

De plus, Intel proposera trois bibliothèques et plages de seuil de tension (Vt), adaptant ses nœuds à une large gamme d’applications, allant des serveurs aux dispositifs mobiles haut de gamme.

Intel 18A-P et 18A-PT : plus de performance sans compromettre la densité

En parallèle de ses nœuds de nouvelle génération, Intel a également présenté des mises à jour de son nœud 18A, déjà en phase de production à risque. Les variantes 18A-P et 18A-PT améliorent leur efficacité et performance pour les clients nécessitant des solutions avancées dans des délais réduits :

• 18A-P offre un +8 % de performance par watt par rapport à sa version originale.
• 18A-PT, prévu pour 2028, intégrera des interconnexions 3D via Foveros Direct et la technologie TSV pour empiler des puces, tout cela avec un pas de 5 micromètres.

Intel assure que son nœud de base, 18A, offrait déjà un +15 % en performance par watt par rapport à Intel 3 et une amélioration de 30 % en densité, le rendant attractif pour des fabricants de premier plan comme NVIDIA, Broadcom ou AMD.

Feuille de route ambitieuse jusqu’en 2028 et offensive géostratégique

Au total, Intel a confirmé la disponibilité de quatre nœuds avancés avec PDK (Kits de Développement de Processus) déjà prêts :

• Intel 14A-E : pour fin 2027.
• Intel 18A-P : prévu pour mi-2026.
• Intel 18A-PT : avec TSV et capacités 3D, en 2028.
• UMC 12 : un nœud mature en collaboration avec UMC pour concurrencer l’industrie chinoise dans le segment de production massive à bas coût.

Cette stratégie reflète l’ambition double d’Intel : lider dans la technologie de pointe face à TSMC et concurrencer dans les processus matures et rentables contre la Chine, consolidant IFS comme une fonderie globale capable de couvrir tout le spectre du marché.

TSMC, à la traîne dans l’EUV High-NA

Alors qu’Intel accélére, TSMC semble avoir sous-estimé le potentiel de la lithographie EUV High-NA, une technologie permettant d’imprimer des circuits encore plus fins et précis, essentielle pour maintenir la Loi de Moore. L’absence de plans immédiats de la part de la société taïwanaise pour adopter cette technologie pourrait la laisser désavantagée en termes de densité, performance et consommation à partir de 2027.

Intel, pour sa part, a assuré qu’en trois ans, elle serait capable d’atteindre :

• Un +38 % de performance pour une consommation énergétique égale.
• Une amélioration de l’efficacité supérieure à +50 %.
• Un bond de +60 % en densité de transistors.

Conclusion : Intel est passée d’une image de retardataire dans le domaine des nœuds avancés à celle d’un sérieux prétendant au leadership technologique. Si elle respecte sa feuille de route et maintient son rythme d’innovation, le nœud Intel 14A avec EUV High-NA pourrait marquer le début d’une nouvelle ère en microélectronique, avec un impact direct sur les centres de données, l’intelligence artificielle, les dispositifs mobiles et plus encore.

La bataille pour le silicium est lancée, et pour la première fois en années, Intel a les armes et le moment en sa faveur.

Source : El chapuzas informático