Infineon Technologies PRÉPARE UN NOUVEAU CAP DANS LA TECHNOLOGIE GaN

L’entreprise allemande s’affirme comme un leader mondial dans la technologie du nitrure de gallium suite à l’annonce de TSMC concernant l’arrêt de sa production.

Infineon Technologies AG a révélé que son plan de fabrication de semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) sur des wafers de 300 millimètres progresse comme prévu. Cette entreprise multinationale allemande, opérant selon le modèle IDM (Integrated Device Manufacturer), prévoit de fournir des échantillons à ses clients dès le quatrième trimestre 2025, consolidant ainsi son rôle d’acteur clé sur le marché mondial des composants de puissance avancés.

Cette annonce intervient à un moment stratégique, alors que TSMC, principal concurrent dans ce domaine, a annoncé la cessation de sa ligne de production de GaN et la démolition de ses installations dans les deux prochaines années. Ce changement ouvre une opportunité significative pour Infineon, qui devient ainsi le premier fabricant à intégrer avec succès la technologie GaN de 300 mm dans une infrastructure de production à volume élevé.

Efficacité et évolutivité : Les avantages des wafers de 300 mm

Le passage des wafers traditionnels de 200 mm à 300 mm représente une avancée technique et économique substantielle. Selon l’entreprise, cette transition permet de produire jusqu’à 2,3 fois plus de puces par wafer, améliorant ainsi considérablement l’efficacité et contribuant à atteindre la parité des coûts avec les produits équivalents basés sur le silicium.

« Grâce à la fabrication à grande échelle de GaN en 300 mm, nous pourrons offrir plus de valeur à nos clients plus rapidement, tout en avançant vers la compétitivité en coût par rapport au silicium », a souligné Johannes Schoiswohl, directeur de la ligne de produits GaN chez Infineon. « Notre stratégie IDM et les investissements antérieurs dans l’infrastructure portent leurs fruits. »

Une approche globale et différenciée

Infineon maîtrise les trois technologies clés dans le secteur des semi-conducteurs de puissance : silicium (Si), carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN). Cette polyvalence, combinée à un contrôle total du processus de production – du design au produit final – permet à l’entreprise d’offrir des solutions personnalisées et évolutives pour des applications émergentes dans des secteurs tels que :

• Automobile électrique
• Systèmes énergétiques pour l’intelligence artificielle
• Robotique industrielle
• Convertisseurs solaires et contrôleurs de moteurs
• Chargeurs rapides et adaptateurs intelligents

Le GaN se distingue en particulier par sa haute densité de puissance, ses vitesses de commutation plus rapides et ses pertes d’énergie réduites, ce qui permet des conceptions plus compactes et thermique efficientes.

Un soutien affirmé par le marché

Selon un rapport du Yole Group, le marché des semi-conducteurs de puissance GaN devrait croître de 36 % par an, atteignant un volume d’affaires de 2,5 milliards de dollars américains d’ici 2030. Infineon a d’ores et déjà annoncé plus de 40 nouveaux produits basés sur le GaN au cours des 12 derniers mois, confirmant ainsi son leadership technologique et industriel.

Face au retrait de TSMC du marché du GaN – qui se concentre désormais sur des processeurs logiques à forte marge – Infineon renforce sa position en tant que fournisseur privilégié pour les clients recherchant des solutions fiables, évolutives et compétitives en coût.

Vers une nouvelle ère d’efficacité énergétique

L’intégration de la technologie GaN sur des wafers de 300 mm marque un tournant dans l’industrie des semi-conducteurs de puissance, accélérant la transition vers des dispositifs plus efficaces, durables et adaptés aux nouvelles exigences du marché, allant de la maison intelligente aux véhicules électriques en passant par les centres de données d’intelligence artificielle.

Avec une capacité de fabrication solide, une équipe d’experts dédiée au GaN et l’une des portefeuilles de propriété intellectuelle les plus larges du secteur, Infineon se positionne comme un leader européen et mondial à l’ère post-silicium.

Source : infineon