EV Group (EVG), un leader dans les solutions innovantes de procédés pour les conceptions de semi-conducteurs de pointe, met en avant sa technologie IR LayerRelease pour le collage et le décollement temporaire (TB/DB) lors de l’exposition SEMICON Korea 2025, qui se tiendra du 19 au 21 février à Séoul, en Corée du Sud.
Innovation dans l’intégration de puces et de mémoire avancée
Reconnu pour son leadership dans la technologie de liaison de wafers, EVG présente sa solution IR LayerRelease, une technologie de décollement au laser infrarouge visant à améliorer la production de mémoire à large bande passante (HBM) et de DRAM empilée en 3D. Ces technologies sont essentielles pour les applications d’intelligence artificielle (IA) et de calcul haute performance (HPC).
Selon le Dr. Thorsten Matthias, directeur régional des ventes pour l’Asie/Pacifique chez EVG : « Accélérer le développement et la production en volume de HBM et de DRAM empilée en 3D est une priorité pour l’industrie coréenne des semi-conducteurs. Notre technologie IR LayerRelease révolutionne le marché en permettant l’empilement de puces plus fines grâce à un décollement laser, éliminant ainsi la nécessité du décollement mécanique ».
Collage et décollement temporaire pour une mémoire avancée
Les technologies HBM et DRAM 3D ont émergé comme des solutions clés pour l’entraînement de l’IA grâce à leur capacité à offrir un haut débit, une faible latence et une efficacité énergétique dans un format compact. Le collage et le décollement temporaire de wafers est un processus essentiel dans la fabrication de ces mémoires avancées.
Les solutions de décollement mécanique traditionnelles ne peuvent pas fournir la précision requise pour les wafers ultra-fins avec des géométries complexes. Dans ce contexte, la technologie IR LayerRelease d’EVG offre des avantages significatifs :
- Précision et performance accrues
- Coût d’exploitation réduit
- Moins d’impact environnemental
- Compatibilité avec les futures générations de mémoire
Détails techniques de IR LayerRelease
La technologie IR LayerRelease utilise un laser infrarouge qui traverse le silicium, permettant de libérer avec précision des couches ultra-fines sans endommager le wafer porteur. Contrairement aux processus traditionnels, IR LayerRelease ne nécessite pas de substrats en verre, ouvrant de nouveaux flux de procédés pour l’intégration 3D-IC et l’intégration sécuencielle 3D. De plus, cette technologie utilise des solvants inorganiques pour le nettoyage postérieur, minimisant l’empreinte écologique dans la fabrication de semi-conducteurs.
IR LayerRelease s’intègre sur la plateforme EVG®880, une solution automatisée pour une production de haute volume.
EVG à SEMICON Korea
Les participants à SEMICON Korea 2025 désireux d’en savoir plus sur les solutions EVG pour IA, HPC, packaging avancé et fabrication durable de semi-conducteurs, peuvent visiter le stand C740 (3ème étage, Hall C) du 19 au 21 février au COEX de Séoul, Corée du Sud.
Source : Semiconductor digest
