Les principaux fabricants de mémoire DRAM, tels que Samsung, SK Hynix et Micron, travaillent déjà sur les premiers chips DDR6, qui promettent de doubler ou tripler la vitesse de la génération précédente, DDR5. Ce nouveau standard, soutenu par Intel et AMD à partir de 2026, s’inscrit dans un contexte où l’intelligence artificielle générative, le calcul haute performance (HPC) et la demande croissante des centres de données accélèrent l’évolution de la mémoire.
Selon l’industrie, une adoption massive de la DDR6 est prévue pour 2027, mais le développement technique est déjà bien avancé. Les trois géants du secteur ont intensifié leurs efforts pour valider et produire des prototypes de chips, contrôleurs et modules compatibles avec ce standard innovant.
La DDR6 offrira des vitesses allant jusqu’à 17 600 MT/s, une amélioration significative par rapport aux 6 400 MT/s de la DDR5, et commencera à partir de 8 800 MT/s. Sur le plan architectural, elle adopte un design avec 4 sous-canaux de 24 bits, contre 2 sous-canaux de 32 bits pour la DDR5, optimisant ainsi le traitement parallèle et la distribution des flux de données, mais posant aussi de nouveaux défis techniques en termes d’intégrité du signal et de gestion électromagnétique.
L’un des principaux obstacles pour la DDR6 réside dans le connecteur physique. Le traditionnel module DIMM à 288 pin ne suffit plus pour répondre aux exigences électriques et mécaniques du nouveau standard. La solution la plus prometteuse est le format CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2), développé notamment par Dell en collaboration avec l’organisation JEDEC. Conçu initialement pour les portables haut de gamme, le CAMM2 offre une impedance réduite, une densité accrue, une meilleure dissipation thermique et un profil plus fin, en faisant une alternative viable pour les serveurs et stations de travail.
Les fabricants de modules et de cartes mères ont déjà commencé à tester des modèles basés sur cette interface, qui pourrait devenir la norme pour la DDR6 dans les années à venir.
Concernant la compatibilité avec les processeurs, Intel et AMD travaillent également sur des plateformes capables de prendre en charge DDR6, dont le lancement est attendu à partir de 2026. Cette évolution concernera aussi bien les serveurs d’IA et supercalculateurs que les ordinateurs portables haut de gamme et stations de travail professionnelles, nécessitant une coordination étroite entre les fabricants de DRAM, les concepteurs de contrôleurs et les fabricants de processeurs.
Au-delà de la simple augmentation de vitesse, la DDR6 représente un changement architectural majeur, qui impliquera la refonte complète des modules de mémoire, connecteurs, cartes mères et techniques d’emballage, bouleversant tout l’écosystème matériel dans les prochaines années. Par ailleurs, les défis liés à la refroidissement, à l’efficacité énergétique et à la gestion thermique seront cruciaux, notamment dans les applications d’intelligence artificielle générative, où les modèles de grandes tailles consomment énormément de mémoire et de bande passante.
Ce passage à la DDR6 pourrait ainsi marquer une nouvelle ère de performances extrêmes, en ouvrant la voie à une bataille stratégique pour dominer le marché du HPC et de l’IA, où les fabricants capables de produire en masse, de réduire les coûts et de certifier rapidement leurs modules auront une opportunité commerciale considérable dans des secteurs comme le cloud computing, les centres de données edge, la formation de modèles d’intelligence artificielle et les appareils de luxe. Il s’agit en réalité d’une disruption profonde de l’architecture mémoire, qui aura des répercussions jusqu’au niveau logiciel et conception systémique.
