L’industrie chinoise de la mémoire réduit rapidement l’écart technologique par rapport aux fabricants sud-coréens. Selon la Korea Semiconductor Industry Association (KSIA), la différence s’est réduite à environ un an pour le NAND Flash, deux ans pour la DRAM, et trois ans pour la HBM, contre une estimation précédente de plus de cinq ans. Les progrès de YMTC et CXMT interviennent également à un moment de forte demande en mémoire, liée à l’intelligence artificielle.

Les clés de la progression de la Chine dans la mémoire en 30 secondes

• La KSIA situe l’écart technologique avec la Chine à 1 an pour le NAND, 2 pour la DRAM et 3 pour la HBM.
• YMTC représente déjà 14 % des revenus mondiaux du NAND au deuxième trimestre 2026 et a atteint la troisième place en volume d’expéditions.
• CXMT détient 10 % du marché de la DRAM par revenus lors de ce trimestre, contre 4 % l’année précédente.
• CXMT a lancé la production en masse de LPDDR6, déjà utilisée dans un smartphone emblématique de Xiaomi.
• Cette avancée ne signifie pas encore une égalité technologique ou productive : en particulier pour la HBM, la performance de fabrication reste une limite.

YMTC et CXMT comblent rapidement leur retard

La référence de la KSIA ne suggère pas que la Chine possède actuellement la même technologie que Samsung, SK hynix ou Micron. Elle parle de différences de générations technologiques, une métrique permettant d’estimer approximativement le délai qui vous sépare de vos concurrents dans certaines catégories.

Cette différence est particulièrement marquante pour le NAND Flash. Selon les données relayées par l’association coréenne, Samsung et SK hynix ont commencé à produire du NAND d’environ 300 couches dès 2025, tandis que YMTC travaillait avec des produits de 270 couches. La feuille de route indique qu’en 2027, YMTC pourrait atteindre environ 400 couches. Il s’agit toutefois d’une projection d’évolution technologique, et non d’une capacité actuellement disponible.

Par ailleurs, le nombre de couches ne suffit pas à lui seul à déterminer la supériorité technique d’une mémoire. La densité par wafer, la vitesse d’interface, la consommation d’énergie, l’efficacité de fabrication, le taux de chips valides et le coût par bit sont également cruciaux. Dans tous les cas, YMTC a déjà prouvé qu’il pouvait rivaliser en volume : selon Counterpoint Research, il détient 14 % des expéditions mondiales de NAND au deuxième trimestre 2026, suffisant pour surpasser Kioxia et intégrer le top 3.

En termes de revenus, Counterpoint donne la même part à YMTC, soit 14 % durant ce trimestre. Samsung possède 28 %, SK hynix 19 %, Micron 15 %, et Kioxia 14 %.

Ce chiffre est significatif car il montre que l’essor de YMTC ne dépend plus uniquement d’une expansion future de capacité. L’entreprise accroît sa présence sur un marché mondial où la tension entre offre et demande est très forte.

L’intelligence artificielle est un moteur majeur de ce changement. Counterpoint estime que, pour la première fois, les SSD d’entreprise ont représenté 48 % des bits de NAND envoyés au deuxième trimestre 2026, contre 26 % l’année précédente. La croissance des serveurs pour IA déplace progressivement une part croissante de la production vers le stockage d’entreprise à haute capacité.

CXMT progresse dans la DRAM et produit déjà du LPDDR6

L’autre acteur majeur est CXMT, principalement spécialisé dans la DRAM. Là encore, la croissance est rapide.

Les données de Counterpoint montrent que CXMT a atteint 10 % du marché mondial de la DRAM en revenus au deuxième trimestre 2026, contre 4 % en même période en 2025. Samsung détient 38 %, SK hynix 25 %, Micron 24 %.

La progression de CXMT ne se limite pas à augmenter la production de générations plus anciennes. La société a annoncé le 7 septembre que sa LPDDR6 était entrée en production de masse et qu’elle était commercialement déployée dans le Xiaomi 18 Fold. CXMT indique une capacité de 16 Go et une vitesse maximale de 12.800 Mbps, tout en précisant que ses chiffres de performance proviennent de tests internes.

Ce progrès est particulièrement notable, car la mémoire LPDDR est essentielle pour les appareils mobiles et autres systèmes où la bande passante et la faible consommation d’énergie sont cruciales. L’introduction de CXMT en LPDDR6 élargit donc la gamme de segments où il peut concurrencer.

Toutefois, une production en masse ne signifie pas encore que CXMT a rattrapé Samsung ou SK hynix dans toutes les dimensions. La capacité disponible, la performance des wafers, la constance en fabrication et la reconnaissance par de grands clients restent des variables tout aussi déterminantes que la génération commerciale du chip.

La HBM demeure le défi le plus ardu

La situation est différente avec la HBM, la mémoire à haut débit utilisée avec des accélérateurs d’intelligence artificielle.

La KSIA indique encore un délai de trois ans entre la Chine et la Corée du Sud en matière de technologie HBM. CXMT a commencé à avancer vers la HBM3E, mais les premières indications évoquent des problèmes de rendement. Selon Wccftech, citant la KSIA, la performance en phase initiale serait d’environ 25 %, avec des difficultés liées aux TSV, ces connexions verticales entre couches de la pile HBM.

Ce point est capital, car la HBM ne se limite pas à produire une DRAM plus rapide. Il faut fabriquer des matrices de mémoire de qualité, assurer le traitement, réaliser les connexions verticales, empiler les puces, maîtriser la consommation et la température, puis valider chaque étape par des tests rigoureux.

Ainsi, l’écart technologique de trois ans en HBM n’invalide pas l’avance de CXMT en DRAM classique ou LPDDR6. Ces produits ont des exigences de fabrication et d’intégration différentes.

Cela explique aussi pourquoi l’avancement chinois ne garantit pas instantanément une chute des prix de la mémoire. L’offre supplémentaire peut renforcer la concurrence, mais l’impact dépend de la capacité réelle du marché, des qualités des produits, des performances et des coûts.

Le marché reste sous pression. Counterpoint a enregistré au deuxième trimestre une forte croissance tant en DRAM qu’en NAND, avec une demande liée à l’infrastructure d’intelligence artificielle absorbant une part importante de la production. Les prix du NAND ont augmenté de 55 % entre le premier et le deuxième trimestre 2026, selon leurs données.

En résumé, la situation en 2026 est bien plus complexe qu’une simple compétition entre fabricants. La Chine réduit l’écart à une vitesse qu’il y a quelques années aurait semblé inimaginable, avec YMTC en bonne position dans le NAND et CXMT en croissance dans la DRAM. La HBM reste néanmoins un défi technologique majeur, et la capacité de production, la qualité et la reconnaissance commerciale détermineront l’étendue de cet avancement, en termes de mémoire disponible pour les PC, smartphones, serveurs et solutions d’IA.