La disparité technologique entre les fabricants chinois et sud-coréens de mémoire s’est rapidement réduite. La Korea Semiconductor Industry Association (KSIA) estime que la Chine accuse un retard d’environ un an en NAND, deux ans en DRAM et trois ans en mémoire HBM (High Bandwidth Memory). YMTC et CXMT jouent un rôle central dans cette évolution, même si mesurer la compétitivité par une simple différence d’années masque d’importantes différences en termes de performance de fabrication, de capacité, d’efficacité et de production à grande échelle.

Les clés de l’avance chinoise dans la mémoire en 30 secondes

• La KSIA estime que l’écart entre la Chine et la Corée du Sud s’est réduit à un an en NAND, deux ans en DRAM et trois ans en HBM.
• YMTC se rapproche de plus en plus de Samsung et SK hynix dans le domaine du NAND, préparant des générations de plus de 400 couches.
• CXMT produit déjà de la DDR5 et de la LPDDR5X, tout en progressant sur le HBM.
• Des difficultés persistent dans la fabrication et le packaging du HBM, qui distinguent CXMT des leaders mondiaux.
• Une augmentation de la capacité de production chinoise pourrait intensifier la compétition, même si la technologie n’est pas encore équivalente.

Cette estimation est particulièrement significative car, il y a quelques années, le retard chinois dans certains segments de mémoire était estimé à environ cinq ans. Cette évolution ne signifie pas que YMTC ou CXMT aient encore atteint Samsung Electronics ou SK hynix sur toutes les métriques, mais montre que la différence ne peut plus se limiter uniquement à la capacité de produire des anciens produits à moindre coût.

Un rapport de 2025 de l’Institut coréen pour la politique économique internationale (KIEP) soulignait déjà cette tendance. À l’époque, il indiquait que CXMT avait commencé à produire de la DRAM DDR5 de classe 16 nm et que YMTC fabriquait du NAND d’environ 300 couches, s’approchant ainsi beaucoup plus des fabricants sud-coréens.

YMTC transforme le NAND en le front le plus avancé de la Chine

Le marché du NAND est actuellement l’un des domaines où la différence de progrès paraît la moindre.

Selon les estimations relayées par des médias sud-coréens, Samsung et SK hynix ont progressé en 2025 vers des générations d’environ 300 couches, tandis que YMTC se situait autour de 270 couches.

La KSIA calcule que cette évolution reflète une différence d’environ un an.

De plus, YMTC travaille sur du NAND de plus de 400 couches pour sa prochaine génération. Bien que leur développement ne garantisse pas une production immédiate en volume, en performance ou en coût similaire à celui de leurs concurrents, cela montre leur avancée technologique.

Une de leurs armes est Xtacking, une architecture développée par YMTC permettant de fabriquer séparément les matrices de mémoire NAND et la logique périphérique avant de les assembler.

Ce procédé facilite le travail indépendant sur chaque composant avant de les relier par des techniques avancées de fusion.

L’évolution vers le hybrid bonding ou union hybride devient cruciale à mesure que le nombre de couches augmente, augmentant la densité.

Des signaux commerciaux indiquent aussi que YMTC n’est plus un acteur marginal. Des études de marché de 2026 placent le fabricant chinois parmi les principaux fournisseurs mondiaux de NAND en termes de volume de bits livrés.

Ainsi, parler d’un écart d’environ un an ne signifie pas que les technologies soient identiques, mais témoigne d’un changement significatif par rapport à la position de l’industrie chinoise il y a seulement quelques années.

CXMT est déjà en compétition sur la DDR5, mais le HBM reste un autre horizon

L’évolution de ChangXin Memory Technologies (CXMT) est sans doute plus notable dans le marché de la DRAM.

La société chinoise a commencé avec des produits très éloignés des générations avancées de Samsung, SK hynix et Micron. Cette situation est en train de changer.

CXMT a progressé vers la DDR5 et la LPDDR5X, tout en poursuivant le développement de processus de plus petite technologie pour la DRAM.

La KSIA évalue désormais un décalage d’environ deux ans en DRAM conventionnelle.

Technologie	Écart estimé Chine-Corée du Sud
NAND Flash	~1 an
DRAM	~2 ans
HBM	~3 ans

Ces chiffres doivent être compris comme des estimations industrielles, et non comme des équivalences mathématiques rigides entre générations.

Deux fabricants peuvent produire de la DDR5 et présenter des résultats très différents en termes de densité par wafer, consommation, fréquence, rendement ou coût.

De même, le nœud technologique utilisé, avec ses dénominations commerciales et ses nanomètres, ne décrit pas à lui seul toutes les caractéristiques d’une technologie DRAM.

La différence devient encore plus évidente pour le HBM.

Le taux de rendement de 25 % reflète encore les défis du HBM en Chine

La mémoire à haut débit (HBM) est essentielle pour l’infrastructure de l’intelligence artificielle.

Le HBM intègre plusieurs matrices de DRAM en 3D, reliées grâce à des techniques avancées d’emballage, offrant un débit supérieur à celui de la mémoire classique et permettant d’alimenter GPU et accélérateurs IA.

Mais la fabrication du HBM est nettement plus complexe que celle d’un module DDR5.

CXMT travaille dans ce domaine et des informations indiquent des développements de HBM3 et HBM3E. Cependant, les performances connues montrent que l’écart avec les leaders reste important.

Des estimations de SemiAnalysis citées par divers médias évaluent à environ 25 % le rendement global de certaines piles HBM de CXMT lors de leur phase de développement.

Ce chiffre n’a pas été officiellement confirmé par l’entreprise et ne doit pas être extrapolé automatiquement à tous ses produits HBM.

Il illustre néanmoins la difficulté industrielle en jeu.

Avec le HBM, il ne suffit pas de produire chaque matrice DRAM avec succès. Les couches doivent être empilées, connectées et ensuite encapsulées et validées. Un défaut dans un composant peut compromettre une structure beaucoup plus coûteuse qu’un simple chip DRAM.

CXMT doit également maîtriser des technologies comme les TSV (Through-Silicon Vias), qui permettent de relier verticalement les matrices empilées par des vias traversant le silicium.

C’est pourquoi la KSIA maintient un écart d’environ trois ans dans le domaine du HBM, supérieur à celui du NAND ou de la DRAM conventionnelle.

La Corée du Sud dispose d’un avantage stratégique via SK hynix, Samsung et Micron, qui occupent une position dominante dans cette technologie.

Les restrictions EUV n’ont pas freiné l’avance chinoise

L’évolution de YMTC et CXMT met en lumière aussi les limites des contrôles technologiques occidentaux sur la Chine.

Les restrictions empêchent notamment l’accès des fabricants chinois à certaines machines de fabrication avancée, en particulier les systèmes de lithographie ultraviolette extrême (EUV) d’ASML.

La Chine reste dépendante de nombreux équipements étrangers à plusieurs étapes de fabrication.

Mais mémoire et processeurs logiques présentent des défis différents.

Les fabricants chinois peuvent prolonger l’utilisation de technologies de lithographie UV profonde (DUV), modifier leurs processus, recourir à plusieurs expositions et développer de nouvelles techniques d’intégration et de packaging pour progresser sans disposer des mêmes outils que leurs concurrents.

Cela augmente la complexité et peut impacter coûts ou performances, mais ne bloque pas nécessairement l’amélioration du produit.

L’intégration hybride est particulièrement pertinente car elle permet d’augmenter la densité et la connectivité par le packaging et l’architecture, au-delà de la simple réduction de taille des transistors.

Par conséquent, se limiter à vérifier la possession ou non de la technologie EUV ne suffit pas pour mesurer la capacité technologique de la Chine.

La capacité de production est aussi cruciale que la technologie

Une autre dimension de l’avancée chinoise réside dans la capacité à produire en grande quantité, indépendamment de la technologie spécifique.

CXMT augmente rapidement sa capacité de production de DRAM. Reuters rapportait en juillet 2026 que l’entreprise était déjà le quatrième plus grand fabricant mondial de DRAM et qu’elle étendait sa présence en profitant de la pénurie provoquée par la forte demande en mémoire.

YMTC suit une démarche similaire pour le NAND.

Les estimations sur la capacité future varient considérablement selon les sources. Certaines évoquent des expansions de plusieurs centaines de milliers de wafers par mois chez CXMT et YMTC, mais ces chiffres dépendent de la mise en service de nouvelles usines, de la disponibilité d’équipements et de la rapidité des rampes de production.

Il est donc prudent de ne pas considérer comme acquises des capacités de 600 000 ou 800 000 wafers par mois pour CXMT ou 500 000 pour YMTC tant que ces installations ne seront pas réellement opérationnelles.

La tendance générale est claire : ces deux fabricants augmentent leurs capacités.

Cela pourrait avoir des effets même avant qu’ils ne rattrapent leurs concurrents sur le plan technologique.

Une mémoire n’a pas besoin d’être la plus avancée pour concurrencer dans les PC, serveurs, téléphones, SSD ou appareils électroniques grand public.

Le marché de la mémoire dépend énormément du volume et du prix.

Rattraper Samsung et SK hynix nécessite plus que de simplement égaler les générations

Le délai d’un, deux ou trois ans permet d’observer rapidement les progrès chinois, mais comporte aussi le risque de trop simplifier la réalité.

Un fabricant de mémoire doit maîtriser simultanément le processus, l’architecture, la performance par wafer, la fiabilité, l’encapsulation, la consommation, la vitesse et la production de masse.

Le HBM ajoute en plus une intégration tridimensionnelle, la gestion thermique et des connexions extrêmement complexes.

C’est pourquoi produire une unité HBM3E ne signifie pas encore rivaliser commercialement avec des millions d’unités de HBM3E produites en grande série avec de bons rendements.

Il en va de même pour une NAND de 400 couches : le nombre de couches est une métrique importante, mais ne détermine pas à lui seul la performance, la densité, la latence, la résistance ou le coût par bit.

Ce qui rend la situation chinoise remarquable, c’est que YMTC et CXMT commencent à évoluer dans plusieurs de ces dimensions simultanément.

Ils disposent également d’un vaste marché intérieur. Les fabricants chinois de serveurs, téléphones, ordinateurs et systèmes d’intelligence artificielle peuvent constituer une clientèle permettant d’accroître le volume, d’apprendre de la production et de financer le développement des générations suivantes.

Les restrictions commerciales peuvent aussi renforcer cette dynamique en encourageant la substitution des composants étrangers en Chine.

L’image que renvoie l’industrie sud-coréenne est donc plus significative que de simplement dire que la Chine a rattrapé l’Occident.

Il subsiste encore d’importantes différences technologiques, notamment pour le HBM et certains équipements de fabrication, mais la vitesse à laquelle la mémoire chinoise s’est rapprochée est bien plus rapide que ce que l’on aurait pu prévoir il y a quelques années.

En NAND, YMTC est déjà en compétition avec les leaders sur certains indicateurs. En DRAM, CXMT est passé des générations obsolètes à la DDR5 et LPDDR5X. Le HBM reste l’étape la plus difficile à maîtriser.

Si l’estimation de la KSIA est correcte, l’avance sud-coréenne n’est plus mesurable en une décennie ou même en cinq ans : elle serait désormais d’environ trois ans en HBM, deux en DRAM, et seulement un en NAND.